今年5月，，，，，阿卜杜拉国王科学手艺大学（KAUST）宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，，，，，外量子效率（EQE）有所提升，，，，，对实现基于简单半导体质料的全彩化Micro LED显示器有主要的推行动用。。。。。。在此基础上，，，，，KAUST近期又取得了新的突破。。。。。。
据外媒报道，，，，，KAUST开发了可在整个可见光光谱规模内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，，，，，实现Micro LED的全彩化。。。。。。现在，，，，，KAUST团队的相关论文已揭晓在《光子学研究》（Photonics Research）期刊上。。。。。。
据先容，，，，，氮合金是一种半导体质料，，，，，通过准确的化学混淆，，，，，能够发出RGB三种颜色的光，，，，，有助于Micro LED实现RGB全彩化显示。。。。。。然而，，，，，当氮化物芯片的尺寸缩小至微米级时，，，，，发光效率也会随着变弱。。。。。。
KAUST研究团队对此作出详细的诠释：缩小芯片尺寸面临的主要障碍是在生产历程中LED结构的侧壁会被损坏，，，，，而缺陷的爆发则会导致泄电，，，，，进而影响芯片发光。。。。。。并且，，，，，随着尺寸的微缩，，，，，这种征象会越发显着，，，，，因此LED芯片尺寸局限在400μm×400μm。。。。。。
不过，，，，，KAUST团队在这个难题上实现了突破，，，，，开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片，，，，，尺寸为17μm×17μm。。。。。。
据悉，，，，，研究团队接纳完全校准的原子沉积手艺研发出10×10的红光Micro LED阵列，，，，，并通过化学处置惩罚消除了对LED芯片结构侧壁的损伤。。。。。。通过原子级视察（需要专业工具及样品准备），，，，，研究团队确认，，，，，侧壁在经由化学处置惩罚后具备高结晶性。。。。。。
凭证研究团队视察，，，，，芯片外貌每2平方毫米区域的输出功率高达1.76mW，，，，，而以往的产品每2平方毫米区域的输出功率仅1mW，，，，，相比之下，，，，，新产品的输出功率显著提升，，，，，意味着外量子发光效率显着提升。。。。。。随后，，，，，研究团队将红光Micro LED芯片与InGaN蓝绿光Micro LED芯片团结，，，，，以制造出广色域Micro LED器件。。。。。。
KAUST以为，，，，，依附高亮度、快速响应速率、广色域、能耗低等优点，，，，，InGaN Micro LED将是下一代Micro LED头戴式监视器、移下手机、电视等装备的理想计划。。。。。。下一步，，，，，KAUST团队将进一步提升Micro LED的效率，，，，，并将尺寸缩小至10μm以下。。。。。。
值得注重的是，，，，，在实现InGaN基Micro LED全彩化的蹊径上，，，，，晶能光电也取得了突破。。。。。。
据LEDinside相识，，，，，晶能光电开发了硅衬底红光Micro LED芯片，，，，，并乐成制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列。。。。。。不过，，，，，晶能也坦言，，，，，现在其红光Micro LED芯片的外量子效率的测试手段还需要进一步优化。。。。。。
在更小尺寸Micro LED芯片手艺上，，，，，今年3月，，，，，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）也已宣布首次展示了尺寸小于10μm的InGaN基红光Micro LED芯片，，，，，不过同样面临外量子发光效率低的问题。。。。。。据悉，，，，，这款芯片在晶圆丈量上测出的EQE仅为0.2%。。。。。。
UCSB指出，，，，，Micro LED的外量子发光效率至少要抵达2-5%，，，，，才华够知足终端显示器的要求。。。。。。UCSB的下一步妄想是改善质料质量，，，，，优化生产办法，，，，，以实现外量子效率的提升。。。。。。
由此可见，，，，，在推动Micro LED实现全彩化和商用化上，，，，，各研究团队仍有较长的一段路要走。。。。。。但可喜的是，，，，，相比往年，，，，，今年各方在Micro LED手艺上取得的希望均对Micro LED工业具有要害性的推行动用，，，，，终端产品也逐步浮出水面，，，，，意味着厂商和消耗者离Micro LED又近了一点。。。。。。
泉源：CINNO Research、LEDinside
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2026-01-23 
